ترانزیستور BU2508A پکیج TO-247

تترانزیستور چیست؟

ترانزیستور یک دستگاه نیمه هادی برای تولید، تقویت و کنترل یا تضعیف سیگنال های الکتریکی می باشد. در حقیقت این قطعات مانند سوئیچ عمل قطع و وصل را انجام داده یا ولتاژ و جریان دریافتی را تنظیم می کنند. ترانزیستورها از اجزای ریزتراشه ها هستند که دارای میلیاردها قطعه کوچک اند.

اجزای ترانزیستور

شامل سه پایه امیتر، بیس و کلکتور از اتصال دو دیود و در حالت جزئی تر از پیوند نیمه هادی های نوع N و P ساخته می شود. با جابجایی طرز قرارگیری نیمه هادی ها در کنار هم می توان ترانزیستورهای متنوعی طراحی نمود.

• امیتر(Emitter)
•  بیس(Base)
•  کلکتور(Collector)

ترانزیستور از چه موادی تشکیل شده است؟

این قطعه از مواد نیمه رسانایی مثل سیلیسیم و ژرمانیم ساخته شده است که یکی از ادوات حالت جامد است. یک قطعه ترانزیستور در درون ساختار خود دارای دو پیوند از نوع N و P است.

ترانزیستورها معمولا از جنس ژرمانیم بوده و به صورت pnp ساخته میشوند.

بایاس دهی ترانزیستور چیست؟

با اعمال تغییرات در این وسیله الکترونیکی می توان جریان و ولتاژ برق عبوری از آن را کنترل نموده و بنابراین، با تزریق بایاس مستقیم یا معکوس منبع تغذیه DC می توان عملکرد مدار را برای کاربردهای مختلف تنظیم کرد.

در حالت جزئی تر، اتصال نیمه هادی نوع N به تغذیه منفی و نوع P به تغذیه مثبت، بایاس مستقیم و برعکس اعمال نیمه هادی نوع N به تغذیه مثبت و نوع P به تغذیه منفی، بایاس معکوس نامیده می شود.

انواع ترانزیستور

اغلب ترانزیستورها از نیمه هادی های سیلیکون، ژرمانیوم و گالیوم آرسناید ساخته شده و به عنوان سوئیچینگ یا تقویت کننده سیگنال به کار می روند و در دو نوع دوقطبی پیوندی و اثر میدانی طراحی می شوند.

1- ترانزیستور دوقطبی پیوندی (Bipolar Junction Transistor)

•  ترانزیستور دوقطبی اتصال NPN
•  ترانزیستور دوقطبی اتصال PNP

در این تراشه الکترونیکی دو نیمه هادی نوع P با یک لایه نازک میانی نیمه هادی نوع N از هم جدا شده اند و حفره ها به عنوان حاملین اکثریت از ناحیه امیتر به سمت نواحی بیس و کلکتور انتشار می یابند.

2. ترانزیستور اثر میدانی(Field Effect Transistor)

• ترانزیستور پیوندی اثر میدانی
• ترانزیستور ماسفت

این نوع ترانزیستور که به اختصار MOSFET نامیده می شود، دارای چهار پایانه گیت، سورس، درین و بستر(Substrate) بوده و با وجود امپدانس ورودی بالا و خروجی پایین از جریان ناچیز گیت برخوردار می باشد. بنابراین، در طراحی مدارهای با قدرت پایین و تراشه ها کاربرد دارد.

این نوع ترانزیستورها نیز مانند نوع پیوندی اثر میدانی، به دو دسته N-Channel و P-Channel تقسیم بندی شده و جریان حاملین یا همان الکترون ها و حفره ها از طریق ولتاژ گیت کنترل می شود.