نقد و بررسی
ترانزیستور ماسفت IRF630ترانزیستور ماسفت (MOSFET)، یا به عبارت دیگر ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز، یک قطعه نیمه هادی است که به طور گسترده برای اهداف سوئیچینگ و برای تقویت سیگنال های الکترونیکی در مدارات الکترونیکی استفاده می شود. ماسفت یک هسته یا حتی یک مدار مجتمع است که در طراحی و ساخت یک تراشه استفاده می شود. معرفی ترانزیستور ماسفت تحولی در حوزه سوئیچینگ در الکترونیک ایجاد کرده است.
نوع ترانزیستور: ماسفت N-Channel
ماکزیمم ولتاژ درین – سورس: 200v
ماکزیمم ولتاژ گیت – سورس: 20v
ماکزیمم جریان درین: 9A
پکیج: TO-220
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 74 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: ± 20 V
Maximum Drain Current |Id|: 9A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Package: TO-220
0دیدگاه